Silikon karbid keramikasy ýokary temperatura güýjüne, ýokary temperatura okislenme garşylygyna, gowy aşaga garşylygy, gowy ýylylyk durnuklylygy, ýylylyk giňelişiniň kiçi koeffisiýenti, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary gatylyk, ýylylyk zarbasyna garşylyk, himiki poslama garşylyk we beýleki ajaýyp häsiýetlere eýe.Awtoulag, mehanizasiýa, daşky gurşawy goramak, howa giňişligi tehnologiýasy, maglumat elektronikasy, energiýa we beýleki ugurlarda giňden ulanyldy we köp sanly pudakda ajaýyp öndürijiligi bilen çalşyp bolmajak gurluş keramikasyna öwrüldi.Indi size görkezmäge rugsat ediň!
Basyşsyz sinter
Basyşsyz sinter, SiC sinterlemegiň iň geljegi uly usuly hasaplanýar.Dürli sintezleýiş mehanizmlerine görä, basyşsyz süzgüç gaty fazaly sinterlere we suwuk fazaly sinterlere bölünip bilner.Ultra inçe β- Şol bir wagtyň özünde SiC poroşokyna dogry mukdarda B we C (kislorodyň mukdary 2% -den az) goşuldy we s.proehazka, dykyzlygy 2020-nji ýylda 98% -den ýokary bolan SiC süzülen bedene süzüldi.A. Mulla we başgalar.Al2O3 we Y2O3 goşundylar hökmünde ulanyldy we 1850-1950 0.5 0,5 μ m β- SiC üçin süzüldi (bölejikleriň üstünde az mukdarda SiO2 bar).Alnan SiC keramikasynyň otnositel dykyzlygy teoretiki dykyzlygyň 95% -inden ýokary, dänäniň ululygy kiçi we ortaça ululygydyr.1,5 mikron.
Gyzgyn metbugat sintezi
Pure SiC diňe gaty ýokary temperaturada hiç hili sintezleýji goşundylar bolmazdan ykjam süzülip bilner, şonuň üçin köp adam SiC üçin gyzgyn basyş sintezleýiş amalyny amala aşyrýar.Sinter enjamlaryny goşup, SiC-iň gyzgyn gysylmagy barada köp habarlar gelip gowuşdy.Alliegro we başgalar.Bor, alýumin, nikel, demir, hrom we beýleki metal goşundylaryň SiC dykyzlygyna täsirini öwrendi.Netijeler, alýuminiý we demiriň SiC gyzgyn basyş süzgüçini ýokarlandyrmak üçin iň täsirli goşundylardygyny görkezýär.FFlange dürli mukdarda Al2O3 goşmagyň gyzgyn basylan SiC-iň häsiýetlerine täsirini öwrendi.Gyzgyn basylan SiC-iň dykyzlygy dargamak we ýagyş mehanizmi bilen baglanyşykly hasaplanýar.Şeýle-de bolsa, gyzgyn pressany süzmek prosesi diňe ýönekeý şekilli SiC böleklerini öndürip biler.Bir gezeklik gyzgyn metbugaty süzmek prosesi bilen öndürilen önümleriň mukdary gaty az, bu önümçilik önümçiligine amatly däl.
Gyzgyn izostatiki basyş
Adaty sintezleýiş prosesiniň kemçiliklerini ýeňip geçmek üçin goşundy hökmünde B görnüşli we C görnüşli ulanyldy we gyzgyn izostatiki basyş sinter tehnologiýasy kabul edildi.1900 ° C-de dykyzlygy 98-den ýokary bolan inçe kristal keramika alyndy we otag temperaturasynda egilmek güýji 600 MPa ýetip biler.Gyzgyn izostatiki basyş sintezi çylşyrymly şekilleri we oňat mehaniki aýratynlyklary bolan dykyz fazaly önümleri öndürip bilse-de, senagat önümçiligini gazanmak kyn bolan süzgüç möhürlenmeli.
Reaksiýa sinteriýasy
Reaksiýa süzülen kremniy karbid, öz-özüne bagly kremniy karbid diýlip hem atlandyrylýar, gözenekli biletiň gazyň ýa-da suwuk fazanyň täsiri, biletiň hilini gowulaşdyrmak, gözenekliligini peseltmek we taýýar önümleri belli bir güýç we ölçeg takyklygy bilen gaýtadan işlemek prosesine degişlidir.take- SiC tozy we grafit belli bir mukdarda garylýar we inedördül bilet emele getirmek üçin takmynan 1650 to gyzdyrylýar.Şol bir wagtyň özünde, gazly Si arkaly biletiň içine girýär ýa-da aralaşýar we bar bolan α- SiC bölejikleri bilen birleşip, grafit bilen reaksiýa döredýär.Si doly aralaşanda, doly dykyzlygy we gysylmaýan ululygy bilen reaksiýa süzülen bedeni alyp bolýar.Beýleki sinterleýiş amallary bilen deňeşdirilende, dykyzlaşma prosesinde reaksiýanyň sinteriniň ululygy üýtgeýär we takyk ululygyndaky önümler taýýarlanyp bilner.Şeýle-de bolsa, süzülen bedende köp mukdarda SiC-iň bolmagy, sintez edilen SiC keramikasynyň ýokary temperatura häsiýetlerini hasam erbetleşdirýär.
Iş wagty: Iýun-08-2022